● 再生廠對(duì)要進(jìn)行再生的已使用晶圓進(jìn)行整理歸類，包括表面篩查、晶圓種類的區(qū)分以及幾何參數(shù)的設(shè)置。

● 芯片制造商使用過(guò)的測(cè)試片因制程的不同而使其表面受到不同程度的污染，需要通過(guò)歸類來(lái)決定接下來(lái)需要清洗的步驟。

● 測(cè)試片是否需要經(jīng)過(guò)剝離程序取決于其表面的狀況。整個(gè)程序在自動(dòng)成批化學(xué)品浸濕槽中進(jìn)行，包括過(guò)氧化氫混合物、氫氟酸蝕刻和堿性蝕刻等清洗，工藝體現(xiàn)在氧化劑配方及浸泡時(shí)間的控制。

● 經(jīng)過(guò)化學(xué)氧化劑將晶圓表面侵蝕，時(shí)間過(guò)快可能導(dǎo)致剝離不干凈，過(guò)慢可能導(dǎo)致侵蝕過(guò)度而影響回收次數(shù)，另外還需確保不受化學(xué)氧化劑的交叉污染。

● 絕緣層較厚的測(cè)試晶圓可能需要研磨并去除其他薄膜層和邊緣圓整。研磨工藝和化學(xué)機(jī)械加工類似，但去除速度快，均勻性也較差。完成研磨后，將執(zhí)行更有統(tǒng)一性和最終拋光的步驟。

● 研磨后的晶圓需要進(jìn)行拋光，拋光可以是單面和雙面的，通常是通過(guò)化學(xué)試劑和機(jī)械共同進(jìn)行，同樣拋光過(guò)程要避免化學(xué)試劑的交叉污染以及注意拋光程度的掌握。拋光最后可能留下殘余顆粒和金屬污染物。

● 最終的清理過(guò)程在浸沒(méi)槽中完成，包括使用氧化物對(duì)拋光程序殘留下的顆粒進(jìn)行清除。最后再通過(guò)表面張力烘干機(jī)對(duì)測(cè)試晶圓進(jìn)行干燥。整個(gè)再生過(guò)程涉及多種化學(xué)試劑，如果不能完全掌握整個(gè)工藝制程，則可能出現(xiàn)機(jī)臺(tái)間的交叉污染，導(dǎo)致巨大經(jīng)濟(jì)損失。

● 最后檢查階段，晶圓再生廠將進(jìn)行過(guò)再生的測(cè)試片通過(guò)厚度和缺陷檢測(cè)來(lái)進(jìn)行分類，再運(yùn)回芯片制造廠使用。