● 再生廠對要進行再生的已使用晶圓進行整理歸類，包括表面篩查、晶圓種類的區(qū)分以及幾何參數(shù)的設(shè)置。

● 芯片制造商使用過的測試片因制程的不同而使其表面受到不同程度的污染，需要通過歸類來決定接下來需要清洗的步驟。

● 測試片是否需要經(jīng)過剝離程序取決于其表面的狀況。整個程序在自動成批化學(xué)品浸濕槽中進行，包括過氧化氫混合物、氫氟酸蝕刻和堿性蝕刻等清洗，工藝體現(xiàn)在氧化劑配方及浸泡時間的控制。

● 經(jīng)過化學(xué)氧化劑將晶圓表面侵蝕，時間過快可能導(dǎo)致剝離不干凈，過慢可能導(dǎo)致侵蝕過度而影響回收次數(shù)，另外還需確保不受化學(xué)氧化劑的交叉污染。

● 絕緣層較厚的測試晶圓可能需要研磨并去除其他薄膜層和邊緣圓整。研磨工藝和化學(xué)機械加工類似，但去除速度快，均勻性也較差。完成研磨后，將執(zhí)行更有統(tǒng)一性和最終拋光的步驟。

● 研磨后的晶圓需要進行拋光，拋光可以是單面和雙面的，通常是通過化學(xué)試劑和機械共同進行，同樣拋光過程要避免化學(xué)試劑的交叉污染以及注意拋光程度的掌握。拋光最后可能留下殘余顆粒和金屬污染物。

● 最終的清理過程在浸沒槽中完成，包括使用氧化物對拋光程序殘留下的顆粒進行清除。最后再通過表面張力烘干機對測試晶圓進行干燥。整個再生過程涉及多種化學(xué)試劑，如果不能完全掌握整個工藝制程，則可能出現(xiàn)機臺間的交叉污染，導(dǎo)致巨大經(jīng)濟損失。

● 最后檢查階段，晶圓再生廠將進行過再生的測試片通過厚度和缺陷檢測來進行分類，再運回芯片制造廠使用。